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Datasheet下载- 型号： BUK7675-55A,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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BUK7675-55A,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7675-55A,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7675-55A,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK7675-55A,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 55V 20.3A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载BUK7675-55A,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7675-55A,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAKMOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 20.3 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7675-55A,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK7675-55A,118 |
| Pd-PowerDissipation | 62 W |
| Pd-功率耗散 | 62 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 483pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9659-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 62W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 75 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | SOT-404-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 20.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20.3A （Tmb） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | /T3 BUK7675-55A |
