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BUK7606-55B,118产品简介:
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Nexperia USA Inc. 生产的 BUK7606-55B,118 是一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于 FET 类别。它在多个应用场景中表现出色,尤其是在需要高效功率管理、快速开关和低功耗的场合。 应用场景: 1. 电源管理: - 该 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、电压调节模块(VRM)和其他电源管理系统中。其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流应用中具有较低的功耗和热量生成。 2. 电机控制: - 在无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动电路中,BUK7606-55B,118 可以作为开关元件,实现高效的电机启动、停止和调速。其快速开关特性有助于减少电磁干扰(EMI)并提高系统的响应速度。 3. 电池管理系统(BMS): - 该 MOSFET 可用于电池保护电路中,防止过充、过放和短路等情况的发生。它能够迅速切断电流路径,确保电池的安全性和延长使用寿命。 4. 消费电子产品: - 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,这款 MOSFET 可用于充电电路、背光驱动和音频放大器等模块,提供高效且稳定的电力传输。 5. 工业自动化: - 在工业控制系统中,如可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口和执行器驱动,BUK7606-55B,118 可以作为信号隔离和功率切换的关键组件,确保系统的可靠性和稳定性。 6. 汽车电子: - 在汽车电子系统中,如车载充电器、LED 照明和电动助力转向(EPS)系统,该 MOSFET 的耐高温特性和抗振性能使其能够在严苛的环境下稳定工作。 总之,BUK7606-55B,118 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率管理和快速响应的领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAKMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 154 A |
Id-连续漏极电流 | 154 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7606-55B,118TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | BUK7606-55B,118 |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 6.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 115 ns |
下降时间 | 110 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5100pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 568-6571-1 |
典型关闭延迟时间 | 155 ns |
功率-最大值 | 254W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | SOT-404-3 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | /T3 BUK7606-55B |