【BUK725R0-40C,118/规格参数】厂家_BUK725R0-40C,118中文资料_价格

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型号： BUK725R0-40C,118
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BUK725R0-40C,118产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH TRENCH 40V DPAKMOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2+Tab)
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	75 A
Id-连续漏极电流	75 A
品牌	NXP Semiconductors
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK725R0-40C,118TrenchMOS™
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产品型号	BUK725R0-40C,118
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	157 W
Pd-功率耗散	157 W
Qg-GateCharge	60 nC
Qg-栅极电荷	60 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	5 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	5 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	4.4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	4.4 V
上升时间	73 ns
下降时间	63 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3820pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	60nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	5 毫欧 @ 25A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	DPAK
其它名称	568-5847-1
典型关闭延迟时间	82 ns
功率-最大值	157W
包装	剪切带（CT）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	75A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single