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  • 型号: BUK7240-100A,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7240-100A,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7240-100A,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK7240-100A,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 34A(Tc) 114W(Tc) DPAK。您可以下载BUK7240-100A,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7240-100A,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 34A DPAKMOSFET TAPE13 PWR-MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

34 A

Id-连续漏极电流

34 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7240-100A,118TrenchMOS™

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产品型号

BUK7240-100A,118

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

114 W

Pd-功率耗散

114 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

40 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

40 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

55 ns

下降时间

30 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2293pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

40 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DPAK

其它名称

568-9641-1

典型关闭延迟时间

48 ns

功率-最大值

114W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

SOT-428-3

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

34A (Tmb)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

/T3 BUK7240-100A

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