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Datasheet下载- 型号： BUK7240-100A,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7240-100A,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7240-100A,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK7240-100A,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 34A（Tc） 114W（Tc） DPAK。您可以下载BUK7240-100A,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7240-100A,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BUK7240-100A,118 是一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 FET 类别。该型号的应用场景广泛，尤其适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电力电子系统中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： - 该 MOSFET 可用于开关电源 (SMPS) 中，作为主开关或同步整流器。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性有助于提高效率，减少能量损耗。 - 在 DC-DC 转换器中，BUK7240-100A,118 可以有效地进行电压调节，确保稳定的输出电压。 2. 电机驱动： - 在无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机驱动器中，该 MOSFET 可用于控制电机的相电流。其快速响应和低导通电阻有助于实现精确的速度和位置控制，同时降低发热。 - 适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机驱动电路。 3. 电池管理系统 (BMS)： - BUK7240-100A,118 可用于电池保护电路，防止过充、过放和短路等异常情况。其低导通电阻有助于减少电池充电和放电过程中的能量损耗，延长电池寿命。 - 适用于电动汽车 (EV)、混合动力汽车 (HEV) 和便携式电子设备的电池管理系统。 4. 负载切换和保护： - 该 MOSFET 可用于负载切换应用，如智能插座、USB 充电器和其他需要动态控制负载通断的设备。其快速开关特性和低导通电阻使得它能够迅速响应负载变化，提供可靠的保护功能。 - 适用于消费电子、通信设备和工业控制系统中的负载管理和保护电路。 5. 逆变器和太阳能系统： - 在光伏逆变器中，BUK7240-100A,118 可用于将直流电转换为交流电，以供家庭或电网使用。其高效能和可靠性有助于提高系统的整体效率和稳定性。 - 适用于小型太阳能发电系统和分布式能源解决方案。 总之，BUK7240-100A,118 以其出色的电气性能和可靠性，在多种电力电子应用中表现出色，特别是在需要高效能和低损耗的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 34A DPAKMOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 34 A |
| Id-连续漏极电流 | 34 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7240-100A,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK7240-100A,118 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 114 W |
| Pd-功率耗散 | 114 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2293pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 568-9641-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 功率-最大值 | 114W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | SOT-428-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 34A （Tmb） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | /T3 BUK7240-100A |
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