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BUK6215-75C,118产品简介:
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Nexperia USA Inc. 生产的 BUK6215-75C,118 是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单类型的产品。它广泛应用于各种电子设备中,尤其适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的应用场景。 这款 MOSFET 的主要应用场景包括: 1. 电源管理:BUK6215-75C,118 适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等电源管理系统。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高效率,特别适用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备的充电电路。 2. 电机驱动:在电机控制应用中,该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机(BLDC)。它能够承受较高的电流和电压波动,确保电机运行稳定,适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。 3. 电池管理系统 (BMS):该器件可用于电池保护电路,防止过充、过放和短路等问题。其快速开关特性和低功耗使其成为电池管理系统中的理想选择,适用于电动汽车、储能系统和其他大容量电池应用。 4. 信号切换:在信号切换和负载开关应用中,BUK6215-75C,118 可以实现高速、可靠的信号传输。它适用于通信设备、网络交换机和服务器等高性能计算平台,确保数据传输的稳定性和完整性。 5. 汽车电子:该 MOSFET 还可用于汽车电子系统,如车身控制系统、车载充电器和LED照明驱动等。其优异的热性能和可靠性使其能够在严苛的汽车环境中长期稳定工作。 总之,BUK6215-75C,118 凭借其卓越的电气性能和可靠性,在多个领域有着广泛的应用前景,特别是在对效率和安全性要求较高的场景中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH TRENCH DPAKMOSFET N-CHAN 75V 57A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 57 A |
Id-连续漏极电流 | 57 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK6215-75C,118TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | BUK6215-75C,118 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 128 W |
Pd-功率耗散 | 128 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 61.8nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 15 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | DPAK |
其它名称 | 568-6985-1 |
功率-最大值 | 128W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 57A (Tmb) |
配置 | Single |