ICGOO在线商城 > BUK6209-30C,118
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- 型号： BUK6209-30C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BUK6209-30C,118产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DPAKMOSFET N-CHAN 30V 50A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK6209-30C,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK6209-30C,118 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 80 W |
| Pd-功率耗散 | 80 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1760pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.8 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 568-6980-2 |
| 功率-最大值 | 80W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tmb） |
| 配置 | Single |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/ITCSN-0400-6"-BLACK-100 PCS.jpg)