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  • 型号: BUJ100LR,412
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUJ100LR,412由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUJ100LR,412价格参考。NXP SemiconductorsBUJ100LR,412封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 400V 1A 2.1W 通孔 TO-92-3。您可以下载BUJ100LR,412参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUJ100LR,412 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

WeEn Semiconductors的BUJ100LR,412是一款单晶体管 - 双极 (BJT),具体应用场景如下:

 1. 电源管理
   BUJ100LR,412适用于各种电源管理系统,如开关电源(SMPS)中的功率调节和控制。它可以在电源转换电路中作为开关或放大器使用,帮助实现高效的电压和电流控制。其高耐压和大电流特性使其能够承受较大的负载变化,确保电源系统的稳定性和可靠性。

 2. 电机驱动
   在电机驱动应用中,BUJ100LR,412可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。它能够提供足够的电流来驱动小型直流电机或步进电机,特别适合需要精确控制的应用场景,如自动化设备、家用电器等。通过调整基极电流,可以实现对电机转速的精细控制。

 3. 音频放大
   该晶体管还可以用于音频放大电路中,作为前置放大器或功率放大器的一部分。它能够放大微弱的音频信号,推动扬声器发出清晰的声音。BUJ100LR,412的低噪声特性和良好的线性度使得它在音频应用中表现出色,尤其适合便携式音响设备、耳机放大器等。

 4. 信号放大与处理
   在信号放大和处理电路中,BUJ100LR,412可以用于放大微弱的模拟信号,如传感器输出信号。它可以将传感器采集到的微小变化放大到可检测的水平,广泛应用于工业控制系统、医疗设备等领域。此外,它还可以用于滤波、整形等信号处理任务。

 5. 继电器驱动
   BUJ100LR,412可以用于驱动继电器,特别是在需要较大电流驱动的情况下。它能够承受较高的电流冲击,确保继电器可靠动作。这种应用常见于自动控制系统、安全系统等场合,如门禁控制、报警系统等。

 6. 保护电路
   在保护电路中,BUJ100LR,412可以用作过流保护或短路保护元件。当电路中出现异常电流时,它可以通过快速响应切断电流路径,保护其他敏感元件免受损坏。这种保护功能在电源适配器、充电器等产品中尤为重要。

总之,BUJ100LR,412凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于多种电子设备和系统中,特别是在需要高效功率控制、信号放大和保护功能的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 400V 1A TO-92两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BUJ100LR,412-

数据手册

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产品型号

BUJ100LR,412

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 250mA,750mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

10 @ 400mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

934063371412

功率-最大值

2.1W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

9 V

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

封装

Bulk

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3 标准主体

封装/箱体

SPT

工厂包装数量

5000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

2.1 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

400V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

1mA

直流集电极/BaseGainhfeMin

12 at 0.5 mA at 2 V, 10 at 0.4 A at 5 V, 5 at 0.8 A at 5 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

400 V

集电极—基极电压VCBO

700 V

频率-跃迁

-

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