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Datasheet下载- 型号： BUB323ZT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BUB323ZT4G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUB323ZT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUB323ZT4G价格参考。ON SemiconductorBUB323ZT4G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 350V 10A 2MHz 150W 表面贴装 D2PAK。您可以下载BUB323ZT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUB323ZT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK达林顿晶体管 10A 350V Bipolar Power NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor BUB323ZT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUB323ZT4G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.7V @ 250mA，10A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 500 @ 5A，4.6V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | BUB323ZT4GOSCT |
| 功率-最大值 | 150W |
| 功率耗散 | 150 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | TO-263-3 (D2PAK) |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 350V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 500 |
| 系列 | BUB323Z |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 350 V |
| 集电极连续电流 | 10 A |
| 频率-跃迁 | 2MHz |
