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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | IC TRANSISTR DARL NPN ISOWATT218 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BU808DFI |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.6V @ 500mA,5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5A,5V |
供应商器件封装 | ISOWATT-218 |
功率-最大值 | 52W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | ISOWATT-218-3 |
晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
标准包装 | 300 |
电压-集射极击穿(最大值) | 700V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
电流-集电极截止(最大值) | 400µA |
频率-跃迁 | - |