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  • 型号: BU808DFI
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BU808DFI由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BU808DFI价格参考。STMicroelectronicsBU808DFI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BU808DFI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BU808DFI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC TRANSISTR DARL NPN ISOWATT218

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

BU808DFI

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.6V @ 500mA,5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 5A,5V

供应商器件封装

ISOWATT-218

功率-最大值

52W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

ISOWATT-218-3

晶体管类型

NPN - 达林顿

标准包装

300

电压-集射极击穿(最大值)

700V

电流-集电极(Ic)(最大值)

8A

电流-集电极截止(最大值)

400µA

频率-跃迁

-

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