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Datasheet下载- 型号： BU52012HFV-TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BU52012HFV-TR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BU52012HFV-TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BU52012HFV-TR价格参考。ROHM SemiconductorBU52012HFV-TR封装/规格：磁性传感器 - 开关（固态）， Digital Switch Unipolar Switch Push-Pull Hall Effect HVSOF5。您可以下载BU52012HFV-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BU52012HFV-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC HALL EFFECT SW MONO HVSOF5工业霍耳效应/磁性传感器 MONO DETECTION SENSOR; 1.65-3.3V |
| 产品分类 | 磁性传感器 - 霍尔效应，数字开关，线性，罗盘 (IC)磁性传感器 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 工业霍耳效应/磁性传感器,ROHM Semiconductor BU52012HFV-TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BU52012HFV-TR |
| 产品种类 | Digital-to-Analog Converters |
| 供应商器件封装 | 5-HVSOF |
| 其它名称 | BU52012HFV-TR-ND |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-665 |
| 封装/箱体 | HVSOF |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工作点最小值/最大值 | 3 mT to 5 mT |
| 工作电源电压 | 1.8 V or 2.5 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 感应范围 | 3mT 跳闸, 2.1mT 释放 |
| 操作类型 | Unipolar |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大输出电流 | 0.5 mA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特性 | 稳压电压 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/rohm/ic.html |
| 电压-电源 | 1.65 V ~ 3.3 V |
| 电流-电源 | 3.5µA |
| 电流-输出（最大值） | ±0.5mA |
| 电流额定值 | 3.5 uA |
| 类型 | 单极开关 |
| 输出类型 | 数字 |
