【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_BU508AW】封装/厂家_BU508AW中文资料_价格

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型号： BU508AW
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BU508AW由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BU508AW价格参考。NXP SemiconductorsBU508AW封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 NPN 700V 8A 125W 通孔 TO-247-3。您可以下载BU508AW参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BU508AW 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

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参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS NPN HV CRT 700V 8A TO-247两极晶体管 - BJT Hi Vltg NPN Pwr transistor
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics BU508AW-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BU508AW
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1V @ 1.6A，4.5A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	10 @ 100mA，5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-247-3
其它名称	497-7196-5 BU508AW-ND
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC94/PF169460?referrer=70071840
功率-最大值	125W
包装	管件
发射极-基极电压VEBO	9 V
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247
工厂包装数量	600
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	125000 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	8 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	30
电压-集射极击穿（最大值）	700V
电流-集电极(Ic)（最大值）	8A
电流-集电极截止（最大值）	200µA
直流电流增益hFE最大值	10
直流集电极/BaseGainhfeMin	10 at 0.1 A at 5 V, 5 at 4.5 A at 5 V
系列	BU508AW
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	700 V
频率-跃迁	-