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  • 型号: BU508AF
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BU508AF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BU508AF由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BU508AF价格参考。STMicroelectronicsBU508AF封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 700V 8A 50W 通孔 ISOWATT-218FX。您可以下载BU508AF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BU508AF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN HV CRT ISOWATT218FX两极晶体管 - BJT NPN Power Transistor

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics BU508AF-

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产品型号

BU508AF

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 1.6A,4.5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

10 @ 100mA,5V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

ISOWATT-218FX

其它名称

497-8748-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC94/PF169461?referrer=70071840

功率-最大值

50W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

9 V

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

ISOWATT218FX

封装/箱体

ISOWATT-218FX-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

50000 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

8 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

700V

电流-集电极(Ic)(最大值)

8A

电流-集电极截止(最大值)

200µA

直流电流增益hFE最大值

30

直流集电极/BaseGainhfeMin

10 at 0.1 A at 5 V, 5 at 4.5 A at 5 V

系列

BU508AF

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

700 V

集电极—基极电压VCBO

9 V

集电极连续电流

8 A

频率-跃迁

-

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