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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 温度保护 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BTS244Z_DS_14.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071c7a5c61ff2&ack=t |
产品图片 | |
产品型号 | BTS244ZE3062AATMA2 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TEMPFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 130µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2660pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13 毫欧 @ 19A,10V |
供应商器件封装 | PG-TO263-5 |
其它名称 | SP000910844 |
功率-最大值 | 170W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-5,D²Pak(4 引线+接片),TO-263BB |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 35A (Tc) |