Datasheet下载- 型号： BTB12-600CW3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BTB12-600CW3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BTB12-600CW3G价格参考。ON SemiconductorBTB12-600CW3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BTB12-600CW3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BTB12-600CW3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRIAC 600V 12A TO220AB双向可控硅 12A TRIAC 35mA IGT |
| 产品分类 | 双向可控硅分离式半导体 |
| GateTriggerCurrent-Igt | 35 mA |
| GateTriggerVoltage-Vgt | 1.7 V |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体闸流管,双向可控硅,ON Semiconductor BTB12-600CW3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BTB12-600CW3G |
| 三端双向可控硅类型 | 标准 |
| 不重复通态电流 | 120 A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 双向可控硅 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 保持电流Ih最大值 | 45 mA |
| 关闭状态漏泄电流（在VDRMIDRM下） | 0.005 mA |
| 其它名称 | BTB12-600CW3G-ND |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 开启状态电压 | 1.55 V |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大转折电流IBO | 120 A |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极触发电压-Vgt | 1.7 V |
| 栅极触发电流-Igt | 35 mA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-断态 | 600V |
| 电压-栅极触发(Vgt)（最大值） | 1.1V |
| 电流-不重复浪涌50、60Hz(Itsm) | 120A @ 60Hz |
| 电流-保持(Ih)（最大值） | 45mA |
| 电流-栅极触发(Igt)（最大值） | 35mA |
| 电流-通态(It(RMS))（最大值） | 12A |
| 系列 | BTB12-35MA |
| 配置 | 单一 |
| 额定重复关闭状态电压VDRM | 600 V |
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