Datasheet下载- 型号： BTA2008-600E,412
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BTA2008-600E,412由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BTA2008-600E,412价格参考。NXP SemiconductorsBTA2008-600E,412封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BTA2008-600E,412参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BTA2008-600E,412 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 9.9A 3-Pin SPT |
| 产品分类 | 双向可控硅分离式半导体 |
| GateTriggerCurrent-Igt | 10 mA |
| GateTriggerVoltage-Vgt | 0.9 V |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体闸流管,双向可控硅,NXP Semiconductors BTA2008-600E,412- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BTA2008-600E,412 |
| 三端双向可控硅类型 | 逻辑 - 灵敏栅极 |
| 不重复通态电流 | 9.9 A |
| 产品种类 | 双向可控硅 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 保持电流Ih最大值 | 12 mA |
| 关闭状态漏泄电流（在VDRMIDRM下） | 0.1 mA |
| 其它名称 | 568-7479 |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 开启状态RMS电流-ItRMS | 0.8 A |
| 开启状态电压 | 1.35 V |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极触发电压-Vgt | 0.9 V |
| 栅极触发电流-Igt | 10 mA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-断态 | 600V |
| 电压-栅极触发(Vgt)（最大值） | 2V |
| 电流-不重复浪涌50、60Hz(Itsm) | 9A，10A |
| 电流-保持(Ih)（最大值） | 12mA |
| 电流-栅极触发(Igt)（最大值） | 10mA |
| 电流-通态(It(RMS))（最大值） | 800mA |
| 配置 | 单一 |
| 额定重复关闭状态电压VDRM | 600 V |
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