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Datasheet下载- 型号： BSZ086P03NS3E G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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BSZ086P03NS3E G产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8MOSFET P-KANAL |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 13.5 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSZ086P03NS3E GOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSZ086P03NS3E+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431ff9881501203d5e6a1717c9 |
| 产品型号 | BSZ086P03NS3E G |
| Pd-PowerDissipation | 69 W |
| Pd-功率耗散 | 69 W |
| Qg-栅极电荷 | 21.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 3.1 V |
| 上升时间 | 46 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 105µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4785pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） |
| 其它名称 | BSZ086P03NS3E GCT |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 8.6 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | TSDSON-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 43 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 13.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.5A （Ta）， 40A （Tc） |
| 系列 | BSZ086P03 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | BSZ086P03NS3EGATMA1 SP000473016 |
