ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BST82,235
Datasheet下载- 型号： BST82,235
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BST82,235由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BST82,235价格参考。NXP SemiconductorsBST82,235封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 190mA（Ta） 830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）。您可以下载BST82,235参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BST82,235 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BST82,235 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 欧姆 @ 150mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 933733110235 |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 190mA （Ta） |
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