【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_BST61,115】封装/厂家_BST61,115中文资料_价格

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型号： BST61,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BST61,115产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BST61,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BST61,115价格参考￥2.02-￥2.02。NXP SemiconductorsBST61,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP - 达林顿 60V 1A 200MHz 1.3W 表面贴装 SOT-89-3。您可以下载BST61,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BST61,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PNP 60V 500MA SOT89达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,达林顿晶体管,NXP Semiconductors BST61,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BST61,115
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1.3V @ 500µA， 500mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	2000 @ 500mA，10V
产品种类	达林顿晶体管
供应商器件封装	SOT-89-3
其它名称	568-6971-2 933644290115 BST61 T/R BST61 T/R-ND BST61,115-ND
功率-最大值	1.3W
包装	带卷（TR）
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-243AA
封装/箱体	SOT-89
工厂包装数量	1000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP - 达林顿
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	1 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	1,000
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html
电压-集射极击穿（最大值）	60V
电流-集电极(Ic)（最大值）	1A
电流-集电极截止（最大值）	50nA
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	60 V
集电极—基极电压VCBO	80 V
零件号别名	BST61 T/R
频率-跃迁	200MHz