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  • 型号: BSS84LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSS84LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS84LT1G价格参考¥0.13-¥0.13。ON SemiconductorBSS84LT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 50V 130mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载BSS84LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS84LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23MOSFET 50V 130mA P-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

130 mA

Id-连续漏极电流

130 mA

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor BSS84LT1G-

数据手册

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产品型号

BSS84LT1G

Pd-PowerDissipation

0.225 W

Pd-功率耗散

225 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

10 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

10 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

50 V

Vds-漏源极击穿电压

- 50 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

1 ns

下降时间

1 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

30pF @ 5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 欧姆 @ 100mA,5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

BSS84LT1GOSCT

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

225mW

功率耗散

0.225 W

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

10 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

50 V

漏极连续电流

130 mA

漏源极电压(Vdss)

50V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

130mA (Ta)

系列

BSS84L

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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