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BSS84AKV,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS84AKV,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS84AKV,115价格参考¥询价-¥询价。NXP SemiconductorsBSS84AKV,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 50V 170mA 500mW 表面贴装 SOT-666。您可以下载BSS84AKV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS84AKV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的BSS84AKV,115是一款晶体管 - FET(场效应晶体管),具体为MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)阵列。这种器件在多种应用场景中表现出色,尤其是在需要高效、低功耗和高集成度的电路设计中。 应用场景: 1. 电源管理: BSS84AKV,115常用于电源管理系统中,例如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻和快速开关特性使得它能够在电源转换过程中减少能量损耗,提高效率。此外,它还可以用于电池充电电路,控制充电电流和电压,确保电池安全充电。 2. 负载开关: 在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,BSS84AKV,115可以用作负载开关。通过控制MOSFET的导通和关断状态,可以实现对不同负载的供电管理,从而延长电池寿命并提高系统的可靠性。 3. 信号切换: 该器件适用于模拟和数字信号的切换。它可以用于音频设备、通信设备和其他需要频繁切换信号路径的应用中。BSS84AKV,115的低电容和快速响应时间使其能够实现高效的信号传输,同时保持较低的噪声水平。 4. 保护电路: 在各种电子产品中,BSS84AKV,115可以用作过流保护、短路保护和热保护元件。通过检测异常电流或温度,MOSFET可以迅速切断电路,防止损坏敏感的下游组件。 5. 电机驱动: 在小型电机驱动应用中,如无人机、机器人和消费类电子产品中的微型电机,BSS84AKV,115可以提供精确的电流控制和高效的功率输出。其紧凑的设计和高性能使得它非常适合这些应用场景。 6. 传感器接口: 在物联网(IoT)设备和传感器模块中,BSS84AKV,115可以用作传感器接口的开关或放大器。它可以帮助处理来自传感器的微弱信号,并将其传递给主控芯片进行进一步处理。 总之,BSS84AKV,115凭借其优异的电气性能和紧凑的封装,在众多领域中都有着广泛的应用前景。无论是消费电子、工业控制还是汽车电子,这款MOSFET阵列都能提供可靠的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666MOSFET P-CH -50 V -170 mA |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 170 mA |
Id-连续漏极电流 | - 170 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSS84AKV,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BSS84AKV,115 |
Pd-PowerDissipation | 330 mW |
Pd-功率耗散 | 330 mW |
Qg-GateCharge | 0.35 nC |
Qg-栅极电荷 | 0.35 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 50 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 36pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.35nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 欧姆 @ 100mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-666 |
其它名称 | 568-10474-1 |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 7.5 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-666-6 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | P-Channel |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 150 mS |
汲极/源极击穿电压 | - 50 V |
漏极连续电流 | - 170 mA |
漏源极电压(Vdss) | 50V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 170mA |