ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSS84AKM,315
Datasheet下载- 型号： BSS84AKM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS84AKM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS84AKM,315价格参考￥0.13-￥0.13。NXP SemiconductorsBSS84AKM,315封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 50V 230mA（Ta） 340mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3。您可以下载BSS84AKM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS84AKM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS84AKM 是一种常见的N沟道增强型垂直扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），而315通常指的是该元件的封装形式（如SOT-315）。这种元器件具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特性，广泛应用于各种电路设计中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：BSS84AKM常用于低压降稳压器（LDO）、DC-DC转换器等电源管理系统中，作为开关或保护元件，确保电路在不同工作条件下的稳定性和可靠性。 2. 信号切换与隔离：在通信设备、工业控制等领域，BSS84AKM可用于实现信号路径的选择性接通或断开，以及提供电气隔离功能，防止干扰信号进入敏感电路部分。 3. 负载驱动：例如，在LED照明系统中，它可以用来控制LED的亮灭及亮度调节；在电机驱动应用里，则负责启动、停止及调速等功能。 4. 过流/过压保护：通过检测电流或电压水平，一旦超出设定阈值，BSS84AKM能够迅速切断电源供应，保护后续电路免受损坏。 5. ESD防护：由于其具备良好的瞬态响应能力，可以在静电放电事件发生时起到有效的防护作用，保障电子产品的安全性和耐用性。 6. 音频放大器：在一些小型便携式音频设备中，BSS84AKM可以作为输出级晶体管，帮助提高音质表现并减少失真。 总之，BSS84AKM凭借其优异的性能参数，在众多领域内发挥着重要作用，是现代电子产品不可或缺的关键组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V SOT883MOSFET P-CH -50 V -230 mA 50V 230mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 230 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 230 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSS84AKM,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS84AKM,315 |
| Pd-PowerDissipation | 340 mW |
| Pd-功率耗散 | 340 mW |
| Qg-GateCharge | 0.35 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.35 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 36pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.35nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 568-10471-1 |
| 功率-最大值 | 340mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 封装/箱体 | DFN1006B-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 150 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 230mA （Ta） |
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