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  • 型号: BSS8402DW-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSS8402DW-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS8402DW-7-F价格参考。Diodes Inc.BSS8402DW-7-F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 60V,50V 115mA,130mA 200mW 表面贴装 SOT-363。您可以下载BSS8402DW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS8402DW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6MOSFET 60 / -50V 200mW

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

115 mA

Id-连续漏极电流

115 mA

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated BSS8402DW-7-F-

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产品型号

BSS8402DW-7-F

PCN其它

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.2 W

Pd-功率耗散

200 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.4 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4.4 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V, - 50 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V, - 50 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V, +/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V, 20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.5 欧姆 @ 50mA,5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-363

其它名称

BSS8402DW-FDIDKR

其它图纸

典型关闭延迟时间

11 ns, 18 ns

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

0.08 S

漏源极电压(Vdss)

60V,50V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

115mA,130mA

系列

BSS8402DW

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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