ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > BSS8402DW-7-F
Datasheet下载- 型号： BSS8402DW-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS8402DW-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS8402DW-7-F价格参考。Diodes Inc.BSS8402DW-7-F封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 60V，50V 115mA，130mA 200mW 表面贴装 SOT-363。您可以下载BSS8402DW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS8402DW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的BSS8402DW-7-F是一款晶体管FET（场效应晶体管）MOSFET阵列。它主要应用于需要高效、低功耗和紧凑设计的电路中，广泛适用于消费电子、通信设备、工业控制等领域。 应用场景： 1. 电源管理： - BSS8402DW-7-F常用于电源管理电路中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高电源效率。 - 适用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑和便携式电子产品，以延长电池寿命。 2. 负载开关： - 在需要快速切换负载的应用中，该器件可作为负载开关使用。例如，在USB端口保护、音频放大器和传感器接口中，能够实现对不同负载的精确控制。 - 其快速开关特性和低栅极电荷（Qg）使其在高频应用中表现出色。 3. 信号切换： - 在通信设备和数据传输系统中，BSS8402DW-7-F可用于信号切换，确保信号的可靠传输。例如，在多路复用器、解复用器和模拟开关中，能够实现不同信号路径的选择和切换。 4. 保护电路： - 该器件还广泛应用于过流保护、短路保护等保护电路中。通过检测电流并迅速切断电路，防止过载或短路对其他元件造成损害。 - 在汽车电子和工业控制系统中，用于保护敏感的电子组件免受瞬态电压和电流冲击的影响。 5. 便携式设备： - 由于其小尺寸和低功耗特性，BSS8402DW-7-F非常适合应用于便携式设备，如智能手表、健身追踪器和其他可穿戴设备，帮助减小整体尺寸并优化功耗。 6. 音频设备： - 在音频放大器和扬声器驱动电路中，该器件可以提供高效的音频信号处理，同时保持低噪声和高保真度。 总之，BSS8402DW-7-F凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式，成为多种应用场景中的理想选择，尤其适合对功耗、尺寸和可靠性有较高要求的电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6MOSFET 60 / -50V 200mW |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 115 mA |
| Id-连续漏极电流 | 115 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated BSS8402DW-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS8402DW-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.2 W |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V, - 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V, - 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V, +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V, 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | BSS8402DW-FDIDKR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns, 18 ns |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.08 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V，50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 115mA，130mA |
| 系列 | BSS8402DW |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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