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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSS214NW_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b3e89eb011b695aebc01bde |
产品图片 | |
产品型号 | BSS214NW L6327 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 3.7µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 143pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.8nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
供应商器件封装 | PG-SOT323-3 |
其它名称 | SP000440880 |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.5A (Ta) |