ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSS192PH6327FTSA1
Datasheet下载- 型号： BSS192PH6327FTSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS192PH6327FTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS192PH6327FTSA1价格参考￥询价-￥询价。InfineonBSS192PH6327FTSA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89。您可以下载BSS192PH6327FTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS192PH6327FTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS192PH6327FTSA1 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的单通道增强型 N 沟道 MOSFET。这款晶体管具有低导通电阻（RDS(on)）和小封装尺寸，适用于多种低电压、低功耗的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 便携式电子设备 BSS192PH6327FTSA1 的低导通电阻特性使其非常适合用于便携式电子设备中的电源管理电路。例如，在智能手机、平板电脑、智能手表等设备中，它可以用作负载开关或电源控制元件，确保在待机模式下消耗的电流最小化，从而延长电池寿命。 2. 电源管理 该MOSFET可用于低压DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理模块中。由于其低导通电阻，可以有效减少传导损耗，提高电源转换效率。此外，它还可以用于过流保护电路，通过快速响应电流变化来保护系统免受短路或过载的影响。 3. 信号切换 在音频设备、传感器接口等应用中，BSS192PH6327FTSA1 可以用作信号切换元件。它能够快速切换不同信号路径，同时保持低噪声和高可靠性，适用于需要频繁切换信号的场景，如多路复用器或多通道音频处理器。 4. 电机驱动 对于小型直流电机或步进电机的驱动，BSS192PH6327FTSA1 可以作为驱动级的一部分。它的低导通电阻有助于减少电机运行时的发热，提高电机的效率和寿命。此外，它还适用于风扇控制、振动马达驱动等低功率电机应用。 5. 消费类电子产品 在各种消费类电子产品中，如智能家居设备、物联网（IoT）终端、无线充电器等，BSS192PH6327FTSA1 可以用于电源管理和信号处理。其紧凑的封装尺寸使得它特别适合空间有限的设计，同时保持高性能和可靠性。 6. 工业自动化 在工业自动化领域，BSS192PH6327FTSA1 可用于传感器接口、通信模块的电源管理以及小型执行器的驱动。它能够在恶劣环境下提供稳定的性能，确保系统的可靠运行。 总之，BSS192PH6327FTSA1 凭借其低导通电阻、小封装和高可靠性，广泛应用于便携式电子设备、电源管理、信号切换、电机驱动、消费类电子产品和工业自动化等领域。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 190 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 190 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal 12Ohm -250V -190mA |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSS192PH6327FTSA1 |
| 产品型号 | BSS192PH6327FTSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | - 4.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | - 4.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.5 V |
| 上升时间 | 5.2 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 72 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-89-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.19 S |
| 系列 | BSS192 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP001047642 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
