ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > BSS192PE6327
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS192PE6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS192PE6327价格参考。InfineonBSS192PE6327封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 250V 190mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89。您可以下载BSS192PE6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS192PE6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BSS192PE6327 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | SIPMOS® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 130µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 104pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 欧姆 @ 190mA,10V |
供应商器件封装 | PG-SOT89-4 |
其它名称 | BSS192PE6327INCT |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-243AA |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 190mA (Ta) |