【晶体管 - FET，MOSFET - 单_BSS192,135】封装/厂家_BSS192,135中文资料_价格

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型号： BSS192,135
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSS192,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS192,135价格参考。NXP SemiconductorsBSS192,135封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 240V 200mA（Ta） 560mW（Ta），12.5W（Tc） SOT-89-3。您可以下载BSS192,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS192,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BSS192,135 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类。这款器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等优点，适用于多种应用场景，尤其是在需要高效能和小尺寸设计的电路中。

 应用场景：

1. 电源管理：
   BSS192,135 常用于各种电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、线性稳压器和电池充电电路。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高转换效率，延长电池寿命。

2. 负载开关：
   在便携式电子设备中，BSS192,135 可作为负载开关使用，控制电流流向特定负载。它能够快速响应并提供过流保护，确保系统的稳定性和安全性。

3. 信号切换：
   该 MOSFET 还可用于模拟和数字信号的切换，例如在音频设备、通信模块和其他需要信号隔离的场合。其快速开关特性和低电容特性使其非常适合高频信号处理。

4. 电机驱动：
   在小型电机驱动应用中，BSS192,135 可以用来控制电机的启动、停止和调速。它的低导通电阻有助于降低发热，提高电机驱动的效率和可靠性。

5. 保护电路：
   BSS192,135 还可以用于过流保护、短路保护和反向电压保护等电路中。通过检测异常电流或电压，它可以迅速切断电路，防止损坏敏感元件。

6. 消费电子产品：
   由于其小巧的封装和高性能，BSS192,135 广泛应用于智能手机、平板电脑、智能手表等消费电子产品中，用于电源管理和信号处理。

7. 工业控制：
   在工业自动化领域，BSS192,135 可用于控制继电器、传感器和其他外围设备，实现精确的开关控制和信号传输。

总之，BSS192,135 凭借其优异的电气性能和可靠性，在多种应用场景中发挥着重要作用，特别是在对功耗和空间要求较高的便携式和小型化设备中表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BSS192,135
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.8V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	90pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	12 欧姆 @ 200mA，10V
供应商器件封装	SOT-89-3
其它名称	933943950135 BSS192 /T3 BSS192 /T3-ND
功率-最大值	1W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-243AA
标准包装	4,000
漏源极电压(Vdss)	240V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	200mA （Ta）