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  • 型号: BSS138WH6327XTSA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSS138WH6327XTSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS138WH6327XTSA1价格参考¥0.30-¥0.30。InfineonBSS138WH6327XTSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3。您可以下载BSS138WH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS138WH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
ChannelMode

Enhancement

Id-ContinuousDrainCurrent

280 mA

Id-连续漏极电流

280 mA

品牌

Infineon Technologies

产品目录

半导体

描述

MOSFET SMALL SIGNAL N-CH

产品分类

分离式半导体

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30432313ff5e0123372e94fc63fc

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSS138WH6327XTSA1

产品型号

BSS138WH6327XTSA1

Pd-PowerDissipation

0.5 W

Pd-功率耗散

500 mW

Qg-GateCharge

1 nC

Qg-栅极电荷

1 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

3.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.4 V

上升时间

3 ns

下降时间

8.2 ns

产品种类

MOSFET

典型关闭延迟时间

6.7 ns

商标

Infineon Technologies

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/箱体

SOT-323-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

正向跨导-最小值

0.12 S

系列

BSS138

通道模式

Enhancement

零件号别名

SP000924068

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