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详细数据请看参考数据手册

型号： BSS138LT1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSS138LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS138LT1价格参考￥0.11-￥0.17。ON SemiconductorBSS138LT1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 50V 200mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载BSS138LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS138LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BSS138LT1是由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的N沟道增强型MOSFET晶体管。它属于低电压、小信号MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电子电路中的开关和信号放大应用。以下是其主要应用场景：

 1. 信号切换与隔离
BSS138LT1常用于需要低电压驱动的信号切换电路中。例如，在音频设备、通信设备或传感器接口中，它可以用作信号路径的选择开关，实现不同信号源之间的快速切换。由于其低导通电阻（Rds(on)），在导通状态下对信号的影响较小，能够保持信号的完整性。

 2. 电源管理
该器件适用于低压电源管理电路，如电池供电设备中的电源开关。它可以用于控制电源的通断，或者作为负载开关来保护电路免受过流或短路的影响。此外，BSS138LT1还可以用于DC-DC转换器中的同步整流电路，提高转换效率。

 3. 逻辑电平转换
BSS138LT1可以用于不同逻辑电平之间的转换。例如，在3.3V和5V系统之间进行信号传输时，使用BSS138LT1可以有效地将高电平信号转换为低电平信号，反之亦然。这在混合电压系统的接口设计中非常有用。

 4. 保护电路
该器件常用于过流保护、过温保护等电路中。通过检测电流或温度的变化，BSS138LT1可以在异常情况下迅速切断电路，防止损坏其他元件。它还可以用于反向电流保护，防止电源极性接反时对电路造成损害。

 5. 小型化便携设备
由于BSS138LT1采用SOT-23封装，体积小巧，适合应用于空间受限的小型化便携设备中，如手机、平板电脑、可穿戴设备等。它的低功耗特性也使得它在这些设备中表现出色，延长了电池寿命。

 6. 电机驱动与控制
在一些小型电机驱动电路中，BSS138LT1可以用作功率级开关，控制电机的启动和停止。它也可以用于PWM调速电路中，调节电机的速度或输出功率。

总之，BSS138LT1凭借其低导通电阻、快速开关特性和紧凑的封装形式，广泛应用于各种低电压、小电流的开关和信号处理场景中，尤其适合便携式设备和精密控制电路。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BSS138LT1
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	50pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	3.5 欧姆 @ 200mA，5V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	BSS138LT1OSCT
功率-最大值	225mW
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	10
漏源极电压(Vdss)	50V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	200mA （Ta）