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  • 型号: BSS123W-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSS123W-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS123W-7-F价格参考¥0.31-¥0.31。Diodes Inc.BSS123W-7-F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323。您可以下载BSS123W-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS123W-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3MOSFET 100V 200mW

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

170 mA

Id-连续漏极电流

170 mA

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated BSS123W-7-F-

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产品型号

BSS123W-7-F

PCN其它

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.2 W

Pd-功率耗散

200 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

6 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

6 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

60pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6 欧姆 @ 170mA,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

BSS123W-FDIDKR

其它图纸

典型关闭延迟时间

13 ns

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

0.08 S, 0.37 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

170mA (Ta)

系列

BSS123

通道模式

Enhancement

配置

Single

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