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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS123TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS123TA价格参考¥0.36-¥1.51。Diodes Inc.BSS123TA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3。您可以下载BSS123TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS123TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的BSS123TA是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种低电压、低功耗的电路设计中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:BSS123TA常用于开关电源(SMPS)中的低压侧开关,能够高效地控制电流的通断。它也适用于线性稳压器(LDO)的使能控制,帮助系统在待机或休眠模式下节省电能。 2. 负载开关:该器件可以作为负载开关使用,特别是在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中。通过快速切换负载电路的供电状态,BSS123TA有助于延长电池寿命。 3. 信号调理与保护:在信号路径中,BSS123TA可用于实现信号的隔离或选择性导通。例如,在传感器接口电路中,它可以防止过流或反向电压对敏感元件造成损害。 4. 电机驱动:对于小型直流电机或步进电机,BSS123TA可以用作驱动级的一部分,提供足够的栅极驱动来控制电机的启停和方向。它还适合用在H桥电路中,以实现双向控制。 5. 音频放大器:在一些低功率音频应用中,如耳机放大器或小型扬声器驱动,BSS123TA可以用来调节输出级的增益或进行音量控制。 6. LED驱动:由于其较低的导通电阻(Rds(on)),BSS123TA非常适合用于驱动LED灯串,尤其是在需要调光功能的情况下。它可以通过PWM(脉宽调制)信号精确控制LED亮度。 7. 静电放电(ESD)保护:在某些情况下,BSS123TA也可以用作瞬态电压抑制器,为电路提供一定程度的ESD防护。 总的来说,BSS123TA以其小巧的封装尺寸(SOT-23)、低导通电阻以及良好的开关特性,成为众多低功耗、紧凑型电子产品的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3MOSFET N-Chnl 100V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 170 mA |
Id-连续漏极电流 | 170 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated BSS123TA- |
数据手册 | |
产品型号 | BSS123TA |
Pd-PowerDissipation | 360 mW |
Pd-功率耗散 | 360 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 欧姆 @ 100mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | BSS123TR |
其它图纸 | |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
功率-最大值 | 360mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 170mA (Ta) |
系列 | BSS123 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |