ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSS123TA
Datasheet下载- 型号： BSS123TA
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS123TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS123TA价格参考￥0.36-￥1.51。Diodes Inc.BSS123TA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载BSS123TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS123TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS123TA是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电子电路中。它具有低导通电阻、快速开关速度和低功耗等优点，适用于中小功率的开关和信号处理应用。 应用场景： 1. 电源管理： BSS123TA常用于低压电源管理系统中，作为开关元件控制电流的通断。例如，在锂电池充电电路中，它可以用来控制充电电流的大小，确保电池安全充电。此外，它还可以用于DC-DC转换器中的同步整流，提高效率并减少发热。 2. 电机驱动： 在小型电机驱动电路中，BSS123TA可以作为功率开关，控制电机的启动、停止和调速。其低导通电阻特性有助于降低能耗，特别适合用于步进电机、直流电机等需要频繁启停的场合。 3. 信号切换与保护： 该器件可用于信号切换电路，如多路复用器或模拟开关。通过控制栅极电压，可以在不同的信号路径之间进行切换。此外，它还可以用于过流保护电路，当检测到电流超过设定值时，迅速切断电路以保护后续设备。 4. 音频电路： 在一些音频放大器或耳机驱动电路中，BSS123TA可以用作输出级的开关元件，实现音量调节或静音功能。由于其响应速度快，能够有效避免音频信号的失真。 5. 传感器接口： 对于一些低功耗传感器模块，BSS123TA可以用作传感器的使能开关，控制传感器的工作状态，从而延长电池寿命。例如，在温度传感器、湿度传感器等环境中，可以通过MOSFET来控制传感器的供电。 6. 通信设备： 在无线通信设备中，BSS123TA可以用于射频前端的开关控制，选择不同的天线或频率通道，以适应不同的通信协议和频段需求。 总之，BSS123TA因其优异的性能和广泛的适用性，成为许多中小型功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3MOSFET N-Chnl 100V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 170 mA |
| Id-连续漏极电流 | 170 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated BSS123TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS123TA |
| Pd-PowerDissipation | 360 mW |
| Pd-功率耗散 | 360 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | BSS123TR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 170mA （Ta） |
| 系列 | BSS123 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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