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Datasheet下载- 型号： BSR57,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSR57,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSR57,215价格参考。NXP SemiconductorsBSR57,215封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 40V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)。您可以下载BSR57,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSR57,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.生产的BSR57,215是一款JFET（结型场效应晶体管），主要用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路设计中。以下是该型号的应用场景： 1. 音频放大器：BSR57,215由于其低噪声特性和高输入阻抗，非常适合用于音频信号的前置放大器。它可以有效地放大微弱的音频信号，同时保持信号的纯净度，适用于高品质音响设备和乐器放大器。 2. 传感器接口电路：许多传感器（如温度传感器、压力传感器等）输出的信号非常微弱且阻抗较高。BSR57,215可以作为缓冲器或放大器，将这些微弱信号进行放大处理，确保后续电路能够准确读取传感器数据。 3. 无线通信设备：在射频（RF）电路中，BSR57,215可用于低噪声放大器（LNA）的设计，特别是在接收端。它能够增强接收到的微弱射频信号，减少噪声干扰，提高通信质量。 4. 医疗电子设备：例如心电图机、脑电图机等医疗设备中，需要对生物电信号进行精确采集和放大。BSR57,215凭借其高输入阻抗和低噪声特性，可以有效放大这些微弱的生物电信号，保证测量结果的准确性。 5. 工业自动化控制：在工业自动化领域，BSR57,215可用于信号调理电路，帮助处理来自各种传感器的信号，确保控制系统能够稳定可靠地运行。 6. 电源管理：虽然JFET不是常见的功率器件，但在某些低功耗应用中，BSR57,215可以用作开关或稳压元件，帮助实现高效的电源管理。 总之，BSR57,215因其优异的电气特性，在多种精密模拟电路中有着广泛的应用，尤其适合对信号完整性要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 40V 250MW SOT23射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors BSR57,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSR57,215 |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 20 mA to 100 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 5V @ 0.5nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 20mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 933410750215 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 40 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | JFET |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大漏极/栅极电压 | 40 V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 漏源电压VDS | 40 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | 40 欧姆 |
| 类型 | Silicon |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 40 V |
| 闸/源截止电压 | 2 V to 6 V |
| 零件号别名 | BSR57 T/R |
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