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型号： BSR56,215
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BSR56,215产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSR56,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSR56,215价格参考。NXP SemiconductorsBSR56,215封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 40V 20mA 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)。您可以下载BSR56,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSR56,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	JFET N-CH 40V 20MA 250MW SOT23JFET TAPE7 FET-RFSS
产品分类	JFET（结点场效应分离式半导体
FET类型	N 沟道
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,JFET,NXP Semiconductors BSR56,215-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BSR56,215
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	250 mW
Pd-功率耗散	250 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	25 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	25 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vgs-栅源极击穿电压	40 V
Vgs=0时的漏-源电流	50 mA
不同Id时的电压-截止（VGS关）	4V @ 0.5nA
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)	50mA @ 15V
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
产品种类	JFET
供应商器件封装	SOT-23 (TO-236AB)
其它名称	568-8488-1
功率-最大值	250mW
功率耗散	250 mW
包装	剪切带（CT）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	25 Ohms
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-23
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最大漏极/栅极电压	40 V
标准包装	1
漏极电流(Id)-最大值	20mA
漏源极电压(Vdss)	40V
漏源电压VDS	40 V
电压-击穿(V(BR)GSS)	40V
电阻-RDS（开）	25 欧姆
配置	Single
闸/源击穿电压	40 V
闸/源截止电压	4 V to 10 V
零件号别名	BSR56 T/R