ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BSR33,115
Datasheet下载- 型号： BSR33,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSR33,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSR33,115价格参考。NXP SemiconductorsBSR33,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 1A 100MHz 1.35W 表面贴装 SOT-89-3。您可以下载BSR33,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSR33,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BSR33,115 是一款双极晶体管 (BJT)，属于单晶体管类型。它在多种应用场景中具有广泛的应用，特别是在需要高效、稳定和可靠电流控制的电路设计中。 应用场景： 1. 电源管理： - 线性稳压器：BSR33,115 可用于线性稳压器中的调整管，帮助维持输出电压的稳定性。其低饱和电压和高电流增益特性使其适合此类应用。 - 开关电源：虽然主要用于线性应用，但在某些低频开关电源设计中，它可以作为驱动级或反馈电路的一部分，提供必要的电流放大功能。 2. 信号放大： - 音频放大器：该晶体管可用于音频信号放大的前置级或中间级，提供足够的增益以驱动后续的功率放大级。 - 传感器信号放大：在传感器信号处理电路中，BSR33,115 可用于放大微弱的输入信号，确保信号的完整性并减少噪声干扰。 3. 开关应用： - 继电器驱动：BSR33,115 可用于驱动继电器线圈，通过控制基极电流来实现对继电器的开关操作。其高电流增益可以有效降低驱动电路的复杂性。 - LED 驱动：在需要精确控制电流的 LED 照明系统中，该晶体管可以用作开关元件，确保 LED 的亮度和寿命。 4. 保护电路： - 过流保护：BSR33,115 可用于设计过流保护电路，通过检测负载电流并在超过预设值时切断电源，从而保护整个系统免受损坏。 - 温度保护：结合热敏电阻等元件，该晶体管可以在温度过高时触发保护机制，防止设备因过热而失效。 5. 工业自动化： - 电机控制：在小型电机控制系统中，BSR33,115 可用于驱动电机的启动和停止，或者作为电机速度控制电路的一部分。 - PLC（可编程逻辑控制器）接口：该晶体管可用于 PLC 的输入/输出接口电路，实现信号的隔离和放大，提高系统的抗干扰能力。 总之，BSR33,115 晶体管凭借其优异的电气性能和可靠性，在各种电子设备和系统中发挥着重要作用，适用于从消费电子产品到工业控制等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 80V 1000MA SOT89两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BSR33,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSR33,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | 568-6877-2 |
| 功率-最大值 | 1.35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1350 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 30 at 100 uA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 at 100 uA at 5 V, 100 at 100 mA at 5 V, 50 at 500 mA at 5 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 90 V |
| 零件号别名 | BSR33 T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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