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BSR16,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSR16,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSR16,215价格参考。NXP SemiconductorsBSR16,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载BSR16,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSR16,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR PNP SWITCHING SOT23两极晶体管 - BJT Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BSR16,215- |
数据手册 | |
产品型号 | BSR16,215 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.6V @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-10306-2 |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 200 MHz (Min) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | TO-236AB |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 250 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
电流-集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 75 at 0.1 mA at 10 V, 100 at 1 mA at 10 V, 100 at 10 mA at 10 V, 100 at 150 mA at 10 V, 50 at 500 mA at 10 V |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
频率-跃迁 | 200MHz |