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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223MOSFET N-CH DMOS 240V 375MA |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 375 mA |
Id-连续漏极电流 | 375 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSP89,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BSP89,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1500 mW |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 240 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 240 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 120pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 欧姆 @ 340mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-73 |
其它名称 | 568-1769-1 |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 240V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 375mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
零件号别名 | BSP89 T/R |