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  • 型号: BSP89,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP89,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP89,115价格参考。NXP SemiconductorsBSP89,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSP89,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP89,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223MOSFET N-CH DMOS 240V 375MA

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

375 mA

Id-连续漏极电流

375 mA

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSP89,115-

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产品型号

BSP89,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1500 mW

Pd-功率耗散

1.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.8 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2.8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

240 V

Vds-漏源极击穿电压

240 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

120pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 欧姆 @ 340mA,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-1769-1

功率-最大值

1.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

240V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

375mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

零件号别名

BSP89 T/R

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