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BSP62,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP62,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP62,115价格参考。NXP SemiconductorsBSP62,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP - 达林顿 80V 1A 200MHz 1.25W 表面贴装 SOT-223。您可以下载BSP62,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP62,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSP62,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。这类器件广泛应用于各种电子电路中,主要起到开关或放大作用。以下是 BSP62,115 的一些典型应用场景: 1. 开关应用: BSP62,115 可用于设计高效的开关电路,例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制等。其快速的开关速度和低饱和电压使其非常适合这些应用。 2. 信号放大: 在音频设备、传感器信号调理和其他需要小信号放大的场合,BSP62,115 可以用作放大器的核心元件,提供稳定的增益性能。 3. 电源管理: 该晶体管可用于简单的稳压电路或电流限制电路中,帮助保护下游负载免受过流或过压的影响。 4. 通信设备: 在低频通信系统中,BSP62,115 可作为缓冲器或调制解调器的一部分,处理低功率射频信号。 5. 消费类电子产品: 包括家用电器(如风扇、冰箱)中的控制电路,以及便携式设备(如遥控器、玩具)中的驱动电路。 6. 工业自动化: 在工业控制系统中,该晶体管可用于信号传输、状态监测和简单逻辑控制。 由于 BSP62,115 具有较高的可靠性、良好的电气特性和紧凑的封装形式,它特别适合对成本敏感且需要高稳定性的应用环境。具体使用时需根据实际需求选择合适的外围电路设计,确保晶体管工作在其安全操作区域内。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PNP 80V 500MA SOT223达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,NXP Semiconductors BSP62,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BSP62,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.3V @ 500µA, 500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 2000 @ 500mA,10V |
产品种类 | 达林顿晶体管 |
供应商器件封装 | SC-73 |
其它名称 | 568-6881-6 |
功率-最大值 | 1.25W |
功率耗散 | 1.25 W |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | 50nA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 1000 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 90 V |
集电极连续电流 | - 1 A |
零件号别名 | BSP62 T/R |
频率-跃迁 | 200MHz |