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  • 型号: BSP62,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BSP62,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP62,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP62,115价格参考。NXP SemiconductorsBSP62,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP - 达林顿 80V 1A 200MHz 1.25W 表面贴装 SOT-223。您可以下载BSP62,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP62,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BSP62,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。这类器件广泛应用于各种电子电路中,主要起到开关或放大作用。以下是 BSP62,115 的一些典型应用场景:

1. 开关应用:  
   BSP62,115 可用于设计高效的开关电路,例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制等。其快速的开关速度和低饱和电压使其非常适合这些应用。

2. 信号放大:  
   在音频设备、传感器信号调理和其他需要小信号放大的场合,BSP62,115 可以用作放大器的核心元件,提供稳定的增益性能。

3. 电源管理:  
   该晶体管可用于简单的稳压电路或电流限制电路中,帮助保护下游负载免受过流或过压的影响。

4. 通信设备:  
   在低频通信系统中,BSP62,115 可作为缓冲器或调制解调器的一部分,处理低功率射频信号。

5. 消费类电子产品:  
   包括家用电器(如风扇、冰箱)中的控制电路,以及便携式设备(如遥控器、玩具)中的驱动电路。

6. 工业自动化:  
   在工业控制系统中,该晶体管可用于信号传输、状态监测和简单逻辑控制。

由于 BSP62,115 具有较高的可靠性、良好的电气特性和紧凑的封装形式,它特别适合对成本敏感且需要高稳定性的应用环境。具体使用时需根据实际需求选择合适的外围电路设计,确保晶体管工作在其安全操作区域内。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP 80V 500MA SOT223达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,NXP Semiconductors BSP62,115-

数据手册

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产品型号

BSP62,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.3V @ 500µA, 500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

2000 @ 500mA,10V

产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-6881-6

功率-最大值

1.25W

功率耗散

1.25 W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

50nA

直流集电极/BaseGainhfeMin

1000

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

90 V

集电极连续电流

- 1 A

零件号别名

BSP62 T/R

频率-跃迁

200MHz

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