ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BSP52T1G
Datasheet下载- 型号： BSP52T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP52T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP52T1G价格参考。ON SemiconductorBSP52T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 80V 1A 800mW 表面贴装 SOT-223。您可以下载BSP52T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP52T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSP52T1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），具体为 NPN 类型。该器件适用于多种应用场景，特别是在需要高效、可靠开关和放大功能的电路中。以下是 BSP52T1G 的一些主要应用场景： 1. 电源管理 BSP52T1G 可用于各种电源管理电路中，例如线性稳压器、DC-DC 转换器等。它能够提供稳定的电流输出，并且具有较低的饱和电压，有助于提高电源效率，减少功耗。在这些应用中，BSP52T1G 可以作为开关或放大元件，控制电流的流动。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，BSP52T1G 可以用作驱动晶体管，控制电机的启动、停止和转速调节。由于其低饱和电压和高增益特性，BSP52T1G 能够有效地驱动电机，同时保持较低的功耗，延长设备的使用寿命。 3. 信号放大 BSP52T1G 具有较高的电流增益（hFE），因此非常适合用于信号放大的场合。它可以将微弱的输入信号放大到足以驱动后续电路的程度。这种应用场景常见于音频放大器、传感器信号处理等领域。 4. 开关电路 作为一种 NPN 晶体管，BSP52T1G 可以用作开关元件，广泛应用于数字电路中的开关控制。例如，在继电器驱动、LED 驱动等场景中，BSP52T1G 可以根据输入信号的状态快速切换导通或截止状态，实现对负载的有效控制。 5. 温度传感器 BSP52T1G 还可以用于温度检测电路中。通过监测其基极-发射极电压（VBE）随温度的变化，可以实现温度测量。这种方法简单且成本低廉，适用于不需要极高精度的温度监控应用。 6. 保护电路 在某些保护电路中，BSP52T1G 可以作为过流保护或短路保护的关键元件。当检测到异常电流时，BSP52T1G 可以迅速切断电流路径，防止损坏其他电路元件。 总之，BSP52T1G 凭借其优异的性能参数和可靠性，适用于广泛的电子设备和系统中，尤其适合需要高效开关和放大功能的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223达林顿晶体管 1A 80V Bipolar Power NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor BSP52T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSP52T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.3V @ 500µA， 500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 2000 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | BSP52T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 功率耗散 | 0.8 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-4 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 1000, 2000 |
| 系列 | BSP52 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 90 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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