ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSP373NH6327XTSA1
Datasheet下载- 型号： BSP373NH6327XTSA1
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP373NH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP373NH6327XTSA1价格参考￥2.20-￥2.20。InfineonBSP373NH6327XTSA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4。您可以下载BSP373NH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP373NH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的BSP373NH6327XTSA1是一款单通道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 BSP373NH6327XTSA1常用于高效电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC转换器。该器件具有低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗，提高电源转换效率。它适用于笔记本电脑、智能手机充电器、服务器电源等设备中的功率调节模块。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，MOSFET作为开关元件，控制电流流向电机绕组。BSP373NH6327XTSA1适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路，特别适合需要高效率和快速响应的应用场景，如电动工具、家用电器、工业自动化设备等。 3. 电池管理系统 MOSFET在电池管理系统（BMS）中起到关键作用，用于控制电池充放电过程中的电流流动。BSP373NH6327XTSA1可以用于电动汽车、储能系统和便携式电子设备的电池保护电路中，确保电池的安全性和可靠性。 4. 逆变器和变频器 在逆变器和变频器中，MOSFET用于将直流电转换为交流电或调节交流电的频率和电压。BSP373NH6327XTSA1凭借其低损耗和快速开关特性，适用于太阳能逆变器、风力发电系统以及工业变频器等应用，帮助实现高效的能量转换和精确的电机控制。 5. 消费电子产品 该MOSFET还广泛应用于各类消费电子产品中，如平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备。它可以在这些设备中用于负载开关、电源路径管理等功能，确保设备的稳定运行并延长电池寿命。 总结 BSP373NH6327XTSA1凭借其出色的电气性能和可靠性，成为多种电力电子应用的理想选择。无论是电源管理、电机驱动还是电池管理系统，这款MOSFET都能提供高效、稳定的解决方案，满足不同行业的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BSP373NH6327XTSA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 218µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 265pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 240 毫欧 @ 1.8A， 10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | SP001059328 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Ta） |
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