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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BSP324 E6327 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | SIPMOS® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 94µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 154pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 欧姆 @ 170mA,10V |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
其它名称 | BSP324E6327T |
功率-最大值 | 1.8W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 400V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 170mA (Ta) |