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  • 型号: BSP318SH6327XTSA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP318SH6327XTSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP318SH6327XTSA1价格参考。InfineonBSP318SH6327XTSA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSP318SH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP318SH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

SMALL SIGNAL N-CHANNEL TRANSISTOMOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 90mOhm 2.6A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.6 A

Id-连续漏极电流

2.6 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP318SH6327XTSA1SIPMOS®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSP318S_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42f30c74b13

产品型号

BSP318SH6327XTSA1

Pd-PowerDissipation

1.8 W

Pd-功率耗散

1.8 W

Qg-GateCharge

14 nC

Qg-栅极电荷

14 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

70 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

70 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.6 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.6 V

上升时间

15 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 20µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

380pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 2.6A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-SOT223-4

其它名称

Q8241403

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

1.8W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

正向跨导-最小值

2.4 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.6A (Tj)

系列

BSP318

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SP001058838

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