ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSP315PH6327XTSA1
Datasheet下载- 型号： BSP315PH6327XTSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP315PH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP315PH6327XTSA1价格参考￥1.90-￥1.90。InfineonBSP315PH6327XTSA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4。您可以下载BSP315PH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP315PH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.17 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1.17 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal 800mOhm -60V -1.17A |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP315PH6327XTSA1 |
| 产品型号 | BSP315PH6327XTSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| Qg-GateCharge | 5.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.5 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 19 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.7 S |
| 系列 | BSP315 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP001058830 |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/471-GREEN-48"X36YD.jpg)
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_renders/EPS200 11／2" BL48"BX.jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
