Datasheet下载- 型号： BSP299H6327XUSA1
- 制造商： Infineon
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产品简介：
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BSP299H6327XUSA1 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单个器件。以下是该型号 MOSFET 的典型应用场景： 1. 电源管理 - BSP299H6327XUSA1 可用于各种电源管理电路中，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和负载开关。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够有效降低功耗，提高效率。 - 应用于电池供电设备中的电压调节和能量管理。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制。通过 PWM（脉宽调制）信号控制 MOSFET 的开关状态，实现电机速度和方向的精确调节。 - 常见于消费电子、家用电器（如风扇、水泵）以及工业自动化设备。 3. 汽车电子 - 在汽车领域，该 MOSFET 可用于车身控制系统，例如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制器等。 - 还可用于车载信息娱乐系统中的电源管理和信号切换。 4. 信号切换与保护 - BSP299H6327XUSA1 可作为信号切换开关，用于隔离不同电路或保护敏感元件免受过流、短路等故障影响。 - 在通信设备中，可用作射频信号的开关。 5. 消费电子产品 - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理和充电电路。 - 用于 USB 接口的过流保护和快速充电功能。 6. 工业应用 - 在工业控制领域，可作为固态继电器的替代品，用于开关高功率负载。 - 适用于工业传感器和执行器的驱动电路。 总结 BSP299H6327XUSA1 的高性能和可靠性使其成为许多领域的理想选择，尤其是在需要高效能、低损耗和快速开关的应用中。具体使用时，需根据其电气参数（如最大电压、电流、功耗等）进行合理设计和匹配。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 400 mA |
| Id-连续漏极电流 | 400 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal 500V 4mOhm 400mA |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP299H6327XUSA1 |
| 产品型号 | BSP299H6327XUSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.3 S |
| 系列 | BSP299 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP001058628 |
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