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  • 型号: BSP297H6327XTSA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP297H6327XTSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP297H6327XTSA1价格参考¥3.29-¥5.14。InfineonBSP297H6327XTSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4。您可以下载BSP297H6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP297H6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
ChannelMode

Enhancement

Id-ContinuousDrainCurrent

660 mA

Id-连续漏极电流

660 mA

品牌

Infineon Technologies

产品目录

半导体

描述

MOSFET SIPMOS Sm-Signal 200V 1.8Ohms 660mA

产品分类

分离式半导体

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP297H6327XTSA1

产品型号

BSP297H6327XTSA1

Pd-PowerDissipation

1.8 W

Pd-功率耗散

1.8 W

Qg-GateCharge

12.9 nC

Qg-栅极电荷

12.9 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.4 V

上升时间

3.8 ns

下降时间

19 ns

产品种类

MOSFET

典型关闭延迟时间

49 ns

商标

Infineon Technologies

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1 Ohms

封装

Reel

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

正向跨导-最小值

0.47 S

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

660 mA

系列

BSP297

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SP001058622

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