ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSP296NH6433XTMA1
Datasheet下载- 型号： BSP296NH6433XTMA1
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP296NH6433XTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP296NH6433XTMA1价格参考。InfineonBSP296NH6433XTMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 1.2A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4。您可以下载BSP296NH6433XTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP296NH6433XTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的BSP296NH6433XTMA1是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于增强型N沟道功率MOSFET。该器件具有以下特点和应用场景： 主要特点： 1. 低导通电阻：RDS(on)非常低，有助于提高效率并减少发热。 2. 高耐压能力：最大漏源电压VDS可达650V，适用于高压应用。 3. 快速开关性能：具备快速开关特性，适合高频应用。 4. 紧凑封装：采用TO-Leadless (TOLL) 封装，节省空间，便于散热。 应用场景： 1. 电源管理： - 用于开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管，能够高效地进行电压转换。 - 在不间断电源（UPS）系统中，作为功率级元件，确保稳定的电力输出。 2. 电机驱动： - 在电动工具、家用电器（如吸尘器、洗衣机等）的电机控制系统中，用于控制电机的速度和方向。 - 工业自动化设备中的伺服电机驱动，提供精确的电流控制。 3. 太阳能逆变器： - 在光伏系统中，用于将直流电转换为交流电，提高能量转换效率。 - MOSFET的低损耗特性有助于提升系统的整体能效。 4. 电动汽车（EV）及混合动力汽车（HEV）： - 在车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和牵引逆变器中，用于高效的电力转换和管理。 - 其高压和低损耗特性非常适合车辆电气系统的严苛要求。 5. 电池管理系统（BMS）： - 用于电池组的充放电保护电路，防止过充、过放等问题。 - 实现电池均衡管理，延长电池寿命。 6. 工业电源和焊接设备： - 在工业电源和焊接机中，作为功率开关元件，提供稳定的电流输出，确保焊接质量。 7. 消费电子产品： - 在笔记本电脑适配器、手机快充等产品中，用于高效的小型化电源设计。 总之，BSP296NH6433XTMA1凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的领域，特别是在高压、高频和大电流的应用环境中表现尤为出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BSP296NH6433XTMA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 152.7pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 1.2A， 10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | SP001098610 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.2A （Ta） |
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