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  • 型号: BSP19,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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BSP19,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP19,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP19,115价格参考。NXP SemiconductorsBSP19,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 70MHz 1.2W Surface Mount SOT-223。您可以下载BSP19,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP19,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 350V 50MA SOT223两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BSP19,115-

数据手册

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产品型号

BSP19,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 4mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 20mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-6958-2
933983400115
BSP19 T/R
BSP19 T/R-ND
BSP19,115-ND
BSP19115

功率-最大值

1.2W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

70 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

1200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1,000

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

350V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

40 at 20 mA at 10 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

40 at 20 mA at 10 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

350 V

集电极—基极电压VCBO

400 V

零件号别名

BSP19 T/R

频率-跃迁

70MHz

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