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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP170PE6327T由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP170PE6327T价格参考。InfineonBSP170PE6327T封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4。您可以下载BSP170PE6327T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP170PE6327T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSP170P.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ad7ad4400 |
产品图片 | |
产品型号 | BSP170PE6327T |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | SIPMOS® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 410pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 1.9A,10V |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
其它名称 | BSP170PE6327XTINCT |
功率-最大值 | 1.8W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.9A (Ta) |