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  • 型号: BSP129E6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP129E6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP129E6327价格参考。InfineonBSP129E6327封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSP129E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP129E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

产品分类

FET - 单

FET功能

耗尽模式

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSP129_Rev1.1G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42eff594ad7

产品图片

产品型号

BSP129E6327

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

SIPMOS®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 108µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

108pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.7nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6 欧姆 @ 350mA,10V

供应商器件封装

PG-SOT223-4

其它名称

BSP129INCT

功率-最大值

1.8W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

240V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

350mA (Ta)

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