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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 耗尽模式 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSP129_Rev1.1G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42eff594ad7 |
产品图片 | |
产品型号 | BSP129E6327 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | SIPMOS® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 108µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 108pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.7nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 欧姆 @ 350mA,10V |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
其它名称 | BSP129INCT |
功率-最大值 | 1.8W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 240V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 350mA (Ta) |