【晶体管 - FET，MOSFET - 单_BSP126,115】封装/厂家_BSP126,115中文资料_价格

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型号： BSP126,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BSP126,115产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP126,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP126,115价格参考。NXP SemiconductorsBSP126,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 250V 375mA（Ta） 1.5W（Ta） SC-73。您可以下载BSP126,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP126,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223MOSFET TAPE-7 MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	375 mA
Id-连续漏极电流	375 mA
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSP126,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BSP126,115
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	1500 mW
Pd-功率耗散	1.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	2.8 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	2.8 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	250 V
Vds-漏源极击穿电压	250 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	120pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	5 欧姆 @ 300mA，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SC-73
其它名称	568-6219-1
功率-最大值	1.5W
包装	剪切带（CT）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	2.8 Ohms
封装	Reel
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
封装/箱体	SOT-223-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	250 V
漏极连续电流	375 mA
漏源极电压(Vdss)	250V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	375mA （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single Dual Drain
零件号别名	BSP126 T/R