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  • 型号: BSP125H6327XTSA1
  • 制造商: Infineon
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP125H6327XTSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP125H6327XTSA1价格参考。InfineonBSP125H6327XTSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4。您可以下载BSP125H6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP125H6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BSP125H6327XTSA1 是一款由英飞凌(Infineon)生产的功率 MOSFET,具体型号为 P沟道 MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等优点,适用于多种电力电子应用场景。

 主要应用场景:

1. 电源管理:
   - BSP125H6327XTSA1 适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、开关电源(SMPS)等电源管理系统中。其低导通电阻特性可以减少传导损耗,提高电源转换效率。
   
2. 电机驱动:
   - 在电动工具、家用电器、工业自动化设备等领域,MOSFET 常用于驱动直流电机或步进电机。BSP125H6327XTSA1 的快速开关特性和低损耗使其成为这些应用的理想选择,能够提供高效且可靠的电机控制。

3. 电池管理系统(BMS):
   - 在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及便携式电子设备的电池管理系统中,MOSFET 用于电池充放电保护、均衡电路等。BSP125H6327XTSA1 的高可靠性和低功耗特性有助于延长电池寿命并提高安全性。

4. 负载开关:
   - 在消费电子、通信设备、计算机及外围设备中,MOSFET 可用作负载开关,实现对不同负载的快速通断控制。BSP125H6327XTSA1 的快速响应时间和低导通电阻有助于减少能量损失,提升系统性能。

5. 逆变器与变频器:
   - 在太阳能逆变器、风力发电系统以及工业变频器中,MOSFET 是核心元件之一,用于将直流电转换为交流电或将电压频率进行调节。BSP125H6327XTSA1 的高效开关特性能够满足这些应用中的高功率密度和高效率要求。

总之,BSP125H6327XTSA1 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
Id-连续漏极电流

120 mA

品牌

Infineon Technologies

产品目录

半导体

描述

MOSFET SIPMOS Pwr 600V 45Ohms 120mA

产品分类

分离式半导体

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP125H6327XTSA1

产品型号

BSP125H6327XTSA1

Pd-PowerDissipation

1.8 W

Pd-功率耗散

1.8 W

Qg-GateCharge

4.4 nC

Qg-栅极电荷

4.4 nC

RdsOn-漏源导通电阻

25 Ohms

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.9 V

上升时间

14.4 ns

下降时间

110 ns

产品种类

MOSFET

典型关闭延迟时间

20 ns

商标

Infineon Technologies

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

25 Ohms

封装

Reel

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

正向跨导-最小值

0.06 S

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

0.12 A

系列

BSP125

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SP001058576

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