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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP125H6327XTSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP125H6327XTSA1价格参考。InfineonBSP125H6327XTSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4。您可以下载BSP125H6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP125H6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSP125H6327XTSA1 是一款由英飞凌(Infineon)生产的功率 MOSFET,具体型号为 P沟道 MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等优点,适用于多种电力电子应用场景。 主要应用场景: 1. 电源管理: - BSP125H6327XTSA1 适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、开关电源(SMPS)等电源管理系统中。其低导通电阻特性可以减少传导损耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动: - 在电动工具、家用电器、工业自动化设备等领域,MOSFET 常用于驱动直流电机或步进电机。BSP125H6327XTSA1 的快速开关特性和低损耗使其成为这些应用的理想选择,能够提供高效且可靠的电机控制。 3. 电池管理系统(BMS): - 在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及便携式电子设备的电池管理系统中,MOSFET 用于电池充放电保护、均衡电路等。BSP125H6327XTSA1 的高可靠性和低功耗特性有助于延长电池寿命并提高安全性。 4. 负载开关: - 在消费电子、通信设备、计算机及外围设备中,MOSFET 可用作负载开关,实现对不同负载的快速通断控制。BSP125H6327XTSA1 的快速响应时间和低导通电阻有助于减少能量损失,提升系统性能。 5. 逆变器与变频器: - 在太阳能逆变器、风力发电系统以及工业变频器中,MOSFET 是核心元件之一,用于将直流电转换为交流电或将电压频率进行调节。BSP125H6327XTSA1 的高效开关特性能够满足这些应用中的高功率密度和高效率要求。 总之,BSP125H6327XTSA1 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合。
参数 | 数值 |
Id-连续漏极电流 | 120 mA |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET SIPMOS Pwr 600V 45Ohms 120mA |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP125H6327XTSA1 |
产品型号 | BSP125H6327XTSA1 |
Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
Pd-功率耗散 | 1.8 W |
Qg-GateCharge | 4.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 4.4 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 Ohms |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.9 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.9 V |
上升时间 | 14.4 ns |
下降时间 | 110 ns |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
商标 | Infineon Technologies |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 25 Ohms |
封装 | Reel |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
正向跨导-最小值 | 0.06 S |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
漏极连续电流 | 0.12 A |
系列 | BSP125 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SP001058576 |