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BSP030,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP030,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP030,115价格参考。NXP SemiconductorsBSP030,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 10A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223。您可以下载BSP030,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP030,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSP030,115是由Nexperia USA Inc.生产的单个MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电子设备和电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 BSP030,115具有低导通电阻(Rds(on))特性,使其非常适合用于电源管理电路。例如,在开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)等应用中,它可以作为高效的开关元件,帮助提高能效并减少发热。此外,它还可以用于电池管理系统(BMS),控制电池的充放电过程。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,如电动工具、家用电器(如风扇、吸尘器等),BSP030,115可以作为功率级开关,控制电机的启动、停止和调速。由于其快速开关特性和低损耗,能够有效提高电机驱动系统的效率,并延长设备的使用寿命。 3. 负载开关 在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等)中,BSP030,115可以用作负载开关,控制不同模块之间的电源分配。它能够在需要时快速切断或接通电流,确保设备在待机或休眠模式下消耗尽可能少的电量,从而延长电池续航时间。 4. 过流保护 BSP030,115可以用于过流保护电路中,防止电路因电流过大而损坏。通过检测电流的变化,当超过设定阈值时,MOSFET会迅速关断,切断电流路径,保护后端电路免受损害。这种保护机制常用于汽车电子、工业控制系统等领域。 5. 信号切换 在通信设备、音频设备等需要高频信号切换的应用中,BSP030,115可以作为高速开关,实现信号路径的选择和切换。其低寄生电容和快速响应特性使得它在高频信号处理中表现出色,减少了信号失真和延迟。 总结 BSP030,115凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、过流保护和信号切换等多个领域。它不仅能够提高系统的效率和稳定性,还能有效降低成本和复杂性,适用于各种消费电子、工业控制和汽车电子等场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 10A SOT223MOSFET TAPE-7 MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSP030,115TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | BSP030,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 8.3 W |
Pd-功率耗散 | 8.3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 770pF @ 24V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-73 |
其它名称 | 568-6218-6 |
典型关闭延迟时间 | 24 ns |
功率-最大值 | 8.3W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SC-73-4 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 12 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
零件号别名 | BSP030 T/R |